Устройства DDR, а именно двойная синхронная динамическая динамическая память о случайном доступе, являются незаменимым ключевым компонентом в современных электронных устройствах. Устройства DDR широко используются в компьютерах, серверах, оборудовании связи и низком энергопотреблении, с их высокой скоростью, большой емкостью и потребительской электроникой. Благодаря быстрому развитию науки и техники устройства DDR постоянно обновляются, а требования к производительности также постоянно улучшаются. Его тест на электрический параметр стал ключевой ссылкой для обеспечения качества продукта и стабильной производительности.
Параметры электрической производительности, как ядро описание характеристик поведения устройств DDR в схеме, отражают интегрированную производительность устройства в различных рабочих состояниях. Параметры электрических характеристик устройств DDR в основном включают ключевые элементы, такие как рабочий ток, частота тактовой частоты, такта, частота тактовой передачи. Скорость передачи данных и время задержки. Эти параметры играют решающую роль в производительности устройств DDR.
В частности, размер рабочего тока напрямую связан с средой приложения и уровнем энергопотребления устройства DDR; тактовая частота и скорость передачи данных совместно определяют способность обработки данных устройства DDR; и время задержки является фактором, который влияет на скорость отклика и общую производительность системы.
Примечательно, что там показали значительные различия в параметрах электрической производительности и условиях труда. Чтобы получить представление об этих различиях, мы можем ссылаться на соответствующие руководства по устройству. Например, на следующем рисунке показан заголовок спецификации устройства DDR. Подробные параметры электрической производительности и условия труда могут быть получены из книги по спецификации. Эта информация имеет решающее значение для правильного выбора и применения устройств DDR.
Основное испытательное оборудование
V 93000- cth
Особенности оборудования:
1. v 93000- CTH-это расширенная супермасштабная интегрированная система тестирования автоматизации автоматизации, предназначенная для тестирования цифрового логического чипа, гибридного сигнального чипа, чипа в системе SOC и других продуктов, с широким диапазоном тестов Полем
2. Принять более широкую программную платформу для самой умной программной платформы, чтобы предоставить пользователям мощные функции программирования и тестирования, что делает разработку программ тестовых программ более быстрыми и эффективными.
3. Платформа с точки зрения количества цифровых каналов тестирования, V 93000- Cth имеет превосходную масштабируемость, которая может расширяться с 128 каналов до 2048 каналов (с 128 каналами в качестве единицы минимального расширения).
4. Система поддерживает различные скорости испытаний, а соответствующая карта платы PS 9G может обеспечить тестовую скорость до 9 Гбит / с. Кроме того, устройство также поддерживает разнообразную скорость тестового смешивания карт цифровых каналов, чтобы удовлетворить различные требования к тестированию.
5. Эффективная эффективность теста: v 93000- Cth имеет отличную скорость тестирования. По сравнению с традиционным испытательным оборудованием, оно может выполнять тестовые задачи быстрее, тем самым повышая эффективность теста.
Тестовый случай
Среди различных электрических параметров DDR критические параметры постоянного тока включали IDD 0, IDD 1 (эксплуатационный ток одного банка), IDD2 (PRECHARGE ток), IDD3 (Active Cury), IDD4. ), Idd5, idd6 (ток обновления), IDD 7 (ток с прочтением операционного банка) и IDD 8 (ток сброса) и т. Д., из которых наименьший эксплуатационный ток обычно составляет менее десяти мА, максимальный рабочий ток может достигать Несколько сотен миллиам с.
Ключевыми параметрами переменного тока являются TCK (системные часы), TAC (время доступа к выводу DQ к / из CK / CK #), TDQSCK (DQS / DQS #RISTING до / от RISING CK / CK #) и т. Д. Обычно наносекундной параметр и параметры ключа, такие как TDQSCK, являются параметрами задержки пикосекунды.
Следующая группа представляет собой схему схемы тестирования GRGTEST определенного устройства DDR. Соответствующая тестовая плата и тестовый прибор протестированы с помощью соответствующей настроенной платформы ATE.
Слева тестовые данные параметров ключа устройства DDR завершаются V 93000- Cth; Справа от правого списка параметров электрических характеристик в спецификации компании той же модели.
TEST способность
GRGTEST вводит передовые технологии и оборудование для тестирования дома и за рубежом, а также создает возможности для тестирования и разработки ключевых параметров, связанных с устройствами DDR. Кроме того, GRGTEST также стремится к разработке диверсифицированных устройств, таких как цифровой логический чип, гибридный сигнальный чип и System Soc Chip, который обеспечивает сильную гарантию проверки для диверсифицированной разработки отрасли чипов Китая и сопровождает плавный запуск продуктов чипа.